HXY MOSFET(华轩阳电子)China
本产品为双向可控硅模块,采用单片集成技术,具备稳定可靠的开关控制性能。其断态峰值电压可达800V,适用于多种中高功率交流电路场景。门极触发电流为10mA,具有良好的灵敏度和兼容性,可适配多种驱动控制方式。通态电流额定值为3A,能够在持续工作状态下保持较低的导通压降,减少发热损耗。该模块广泛应用于智能家电、电动工具、照明调光以及电源管理等领域,适合用于实现精确的交流负载控制。
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Key specs
Off-state voltage800 V
Gate trigger current10 mAMax
| Power | |
|---|---|
| 断态峰值电压(Vdrm) | 800V |
| 通态电流(It) | 3A |
| 门极触发电流(Igt) | 10mA |
| Environment and package | |
| 封装 | TO-220A |
| Other | |
| 可控硅类型 | 1个双向可控硅 |