HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该器件为单体双向可控硅模块，通态平均电流（It）可达4A，能够稳定承载持续电流负载。其断态重复峰值电压（Vdrm）为600V，具备良好的高压阻断能力，适用于交流电源控制场合。内部集成一个双向可控硅芯片，可实现对交流电正负半周的同步控制，具有响应速度快、控制精度高的特点。广泛用于交流调压、调光、电机调速及固态继电器等电路，适用于需要可靠开关和功率调节的设备中，满足多种中等功率应用场景的需求。