HXY MOSFET(华轩阳电子)China
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为50V电压应用设计，额定电流0.1A。具备低导通电阻和快速开关特性，尤其适用于电池保护、信号切换等精细功率控制场合，实现电子设备高效节能的运作。
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Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage50 V
Continuous drain current130 mA
On-resistance5 ΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 50V |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |