HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该N沟道场效应管额定漏极电流0.1A，漏源击穿电压60V，导通电阻1300毫欧，栅源耐压20V。器件适用于低压开关与信号切换场景，如便携设备电源管理、电池保护及负载控制电路。其60V耐压支持中等电压应用，1300毫欧导通电阻有助于降低功耗，适合对空间与能效有要求的消费电子及通信模块设计。