VBsemi(微碧半导体)China
BSL215C-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；
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Key specs
ChannelN + P
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current3.4 ~ 5.5 A
On-resistance55 mΩMax · 10V，10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A；5.5A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V；22mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |