VBsemi(微碧半导体)China
BS250FTA-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current500 mA
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA |
| Other | |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 240mW |