HXY MOSFET(华轩阳电子)China

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为60V，典型正向压降为0.7V，反向漏电流为500μA，具备70A的峰值正向浪涌电流能力。其低导通压降特性有助于减少功率损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换、整流及续流保护等电路场合。器件在维持较高反向耐压的同时，保持了较快的开关响应特性，适合用于各类通用电子设备中的高频整流应用。