HXY MOSFET(华轩阳电子)China
此款PNP型三极管（BJT）专为精细操作设计，具有集电极电流IC为0.1A，确保了在敏感应用中的精准控制。其集电极-发射极电压VCEO高达45V，使其能够适应较高的工作电压环境。直流电流增益HFE范围为200至450，保证了信号放大过程中的稳定性和效率。特征频率FT达到100MHz，适用于需要高速开关和响应的应用场景。该三极管以其卓越的性能参数，非常适合用于无线通信设备及各种精密电子仪器中，实现信号的有效放大与处理。(BCW70,215)
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View full reportTechnical parameters
Key specs
Collector-emitter voltage45 V
Collector current100 mAMax
DC current gain4752mA
Power200 mWMax
| Power | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| AC and DC characteristics | |
| 直流电流增益(hFE) | 475@2mA,5V |
| Other | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |