HXY MOSFET(华轩阳电子)China

此款PNP型三极管（BJT）专为精细操作设计，具有集电极电流IC为0.1A，确保了在敏感应用中的精准控制。其集电极-发射极电压VCEO高达45V，使其能够适应较高的工作电压环境。直流电流增益HFE范围为200至450，保证了信号放大过程中的稳定性和效率。特征频率FT达到100MHz，适用于需要高速开关和响应的应用场景。该三极管以其卓越的性能参数，非常适合用于无线通信设备及各种精密电子仪器中，实现信号的有效放大与处理。