HXY MOSFET(华轩阳电子)China

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为1A，最大反向电压为40V。其正向压降低至0.55V，有助于减少导通损耗；反向漏电流为200μA，表现出良好的反向阻断特性。器件具备高达30A的非重复峰值正向浪涌电流能力，适用于存在较大瞬态电流的电路场合。得益于肖特基结构的快速开关特性和低导通压降，该二极管常用于低压电源整流、极性保护及高频开关等电子应用中。