HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在30V反向电压下漏电流（IR）仅为2μA，具备较低的导通损耗与优异的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流、信号检波及电源极性保护等电路场合。