HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为60V。其正向压降为0.7V，在导通时维持较低的功耗；反向漏电流为500μA，具备良好的反向截止特性。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于存在瞬态过流的电路条件。典型应用包括开关电源中的整流、续流路径以及极性保护等场景，有助于提升系统整体效率与稳定性。