HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为500μA，适用于对能效和热管理有一定要求的电路环境。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流，具备良好的瞬态耐受能力。此类参数组合使其适合用于电源整流、极性保护以及高频开关电路等应用场景。