HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压为60V。其正向压降典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为500μA，适用于对能效有一定要求的电路环境。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流，具备良好的瞬态耐受能力。该产品适用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景，凭借肖特基势垒特性，在中低电压系统中展现出较快的开关响应速度与稳定的电气性能。