JSMSEMI(杰盛微)China
AP2303GN-JSM
Transistors - FETs, MOSFETs - Single适用于DC-DC转换、低电压电源开关及负载控制应用，提供低导通电阻和出色的性能表现，是现代电子设备的理想功率管理组件。
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current4.3 A
On-resistance78 mΩMax · 2.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@2.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |
Documents
DatasheetDatasheet · 2.1 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 2.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 622.4 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 413.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 371.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 225.2 KB · 2026-09-21
Open document center