HXY MOSFET(华轩阳电子)China
这款N+N沟道场效应管(MOSFET)具有0.1A的最大连续漏极电流ID，适用于低功率电路设计。其额定漏源电压VDSS达到60V，导通电阻RDON为1300mΩ，确保了在有限电流条件下的稳定性能。栅源电压VGS工作范围是-20V至+20V，适合需要精确控制的应用场合。该MOSFET广泛应用于消费电子产品、小型家用设备及各种便携式装置中的开关控制与电源管理功能。
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Key specs
Continuous drain current100 mA
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SOT-363 |
| Other | |
| ID | 0.1A |
| RDON | 1300mR |
| TYPE | N+N沟道 |
| VDSS | 60V |
| VGS | 20V |