VBsemi(微碧半导体)China
AO5404E-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N结构设计，采用Trench技术，适用于低功率、高效能和高可靠性要求的电路和模块。SC75-3；N—Channel沟道,20V；0.85A；RDS(ON)=270mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~1V；
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage20 V
On-resistance270 mΩMax · 4.5V
Gate threshold voltage1 VMax
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@4.5V,1A |
| 数量 | 1个N沟道 |