HXY MOSFET(华轩阳电子)China
AO4614B-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleAO4614B 是一款N+P沟道MOSFET，采用小型化SOP-8封装，适应现代电子产品的小型化需求。器件具备40V的最大工作电压VDSS，可持续输出6A的漏极电流ID，确保高效稳定的电力传输。其导通电阻RD(on)低至26mΩ，有效降低功耗并提升系统能效。AO4614B MOS管广泛应用于电源转换、负载开关、电机驱动控制等领域，是您实现高效率、低损耗电路设计的理想选择。
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN + P
Drain-source voltage40 V
Continuous drain current6.5 A
On-resistance54 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |