HXY MOSFET(华轩阳电子)China

【联系：sales@hxymos.com】该P沟道场效应管额定漏极电流为5A，漏源击穿电压20V，导通电阻为35mΩ。器件在低电压平台下表现稳定，适用于电池组保护、负载切换及便携式设备的电源管理回路。其特定的导通阻抗特性有助于平衡系统功耗与热设计，适合空间受限的消费电子、通信终端及储能模块中的功率控制应用，满足紧凑型电路对可靠性的需求。