HXY MOSFET(华轩阳电子)China
8205A-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - Single该消费级MOSFET采用SOT-23-6L封装，集成双N沟道设计，额定电压为20V，最大连续电流高达6A。适用于高效率电源转换和负载开关应用，紧凑结构与强大性能结合，提供卓越的双通道功率控制解决方案。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current6 A
On-resistance25 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V,4A |
| 数量 | 2个N沟道 |