HXY MOSFET(华轩阳电子)China
该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为30V电压系统设计，提供精确的0.1A电流控制。具备低导通电阻和快速开关性能，尤其适用于电池保护、信号切换等低功耗电子应用，实现高效能与节能的功率管理解决方案。
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current100 mA
On-resistance2.2 ΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |