HXY MOSFET(华轩阳电子)China
这款N型场效应管具有0.1A的电流处理能力和60V的耐压范围。其内阻典型值为1300毫欧姆，适用于低功耗电路设计。VGS为20V，确保稳定的开关控制。适合用于电源管理、信号放大及开关电路等应用，提升系统稳定性和效率。(2N7002W-7-F)
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current115 mA
On-resistance3 ΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,0.115A |
| 数量 | 1个N沟道 |