MSKSEMI(美森科)China
2N7002LT1G-MS
Transistors - FETs, MOSFETs - Single此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current300 mA
On-resistance2.2 ΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V,0.3A |
| 数量 | 1个N沟道 |