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类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.16A 功率(Pd)：750mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：47mΩ@10V,3.5A

1个N沟道 耐压:30V 电流:3.16A适用于电源开关和信号控制

因其低导通电阻、高开关速度、低漏电流和高稳定性等性能特点，适用于低功耗电子系统、高频率开关系统和空间受限的电子系统

场效应管(MOSFET)

SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子

N沟道

N 沟道 30V

SI2306 SOT-23场效应管

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

这款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为30V电压系统设计，具备高达5.8A的大电流处理能力。具有优越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换以及各类高功率电子设备中，实现高效可靠的功率管理与切换功能。