搜索结果：MPT013N03L
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产品搜索结果共 1 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 采用SGT工艺,30V 210A,1.3mΩ@10V，具备低内阻、高抗冲击等特性，适用于车载逆变器，开关电源，电池保护等领域 | 查看详情 |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 采用SGT工艺,30V 210A,1.3mΩ@10V，具备低内阻、高抗冲击等特性，适用于车载逆变器，开关电源，电池保护等领域 | 查看详情 |
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