搜索结果：MLD1N06CLT4G

共 4 条

匹配型号4
有数据手册2
涉及品牌3

产品搜索结果共 4 条

对比	产品型号	品牌	分类	产品描述	技术资料	替代	操作
	MLD1N06CLT4G		晶体管 - 专用	IC MOSFET POWER N-CH 1A 65V DPAK			查看详情
	MLD1N06CLT4G		单 FET，MOSFET	IC MOSFET POWER N-CH 1A 65V DPAK			查看详情
	MLD1N06CLT4G-VB		晶体管 - FET，MOSFET - 单	台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；	数据手册1		查看详情
	MLD1N06CLT4G-JSM		晶体管 - FET，MOSFET - 单	广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。	数据手册7		查看详情

型号对比

+ 勾选添加
+ 勾选添加

已选 0 个，最多 2 个

第 1–4 条，共 4 条

没找到想要的型号？

让 AI 帮你联网查找，或者直接告诉客服。

申请芯片样品

填写型号和样品需求，供样安排确认后会联系你。