台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，适用于各种应用场景。TO263；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2~4V；
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