搜索结果:HS6335

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对比产品型号品牌分类产品描述技术资料替代操作
单 FET,MOSFET

这款场效应管采用P型设计,适用于高效能应用。其关键参数包括11A的电流承载能力、30V的工作电压,以及14mR的典型内阻。VGS为20V,确保了稳定的控制性能。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。

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