搜索结果:HS6
共 50+ 条- 匹配型号50+
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- 涉及品牌(前 50 条中)12
产品搜索结果共 50+ 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 配件 | HEATSINK SSR 0.5DEG C/W PNL MT | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 螺钉和螺母驱动器 - 套装 | NUT DRIVER SET W/CASE 10PC | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 底座安装电阻器 | 600 WATT CHASSIS MOUNT | 查看详情 | |||||
| 底座安装电阻器 | 600 WATT CHASSIS MOUNT | 查看详情 | |||||
| 底座安装电阻器 | 600 WATT CHASSIS MOUNT | 查看详情 | |||||
| 螺钉和螺母驱动器 | NUT DRIVER HEX SCKT 3/16" 7.25" | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
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| 螺钉和螺母驱动器 - 套装 | NUT DRIVER SET HEX 10PC | 查看详情 | |||||
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| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 这款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装,额定电压30V,连续电流高达15A。适用于中等功率的电源转换、负载控制及电池管理系统应用,具有出色的能效和空间利用率,为现代电子产品提供高效可靠的半导体解决方案。 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 单 FET,MOSFET | 这款场效应管采用P型设计,适用于高效能应用。其关键参数包括11A的电流承载能力、30V的工作电压,以及14mR的典型内阻。VGS为20V,确保了稳定的控制性能。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 此款消费级P沟道MOSFET采用小型SOP-8封装,专为30V系统设计,提供高达12A的连续电流处理能力。具备优秀的开关性能与低导通电阻,广泛应用于电池保护、电源切换以及高功率负载控制场景,是现代电子产品实现高效能、稳定运行的理想选择。 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
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| RF 收发器 IC | 数据手册1 | 查看详情 | |||||
| 接近/占用传感器 - 成品单元 | HS6601L | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 底座安装电阻器 | 600 WATT CHASSIS MOUNT | 查看详情 | |||||
| 单 FET,MOSFET | 这款N型场效应管具备15A的电流承载能力,能在30V电压下稳定工作。其内阻典型值为8mΩ,VGS为20V。适用于要求高电流、低内阻的应用场景,如电源管理、负载开关等,确保系统高效稳定运行。 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 接近/占用传感器 - 成品单元 | 数据手册1 | 查看详情 | |||||
| 磁性传感器 - 线性,罗盘(IC) | The HS6A12GA Joystick features a comfortable handle for precise control, flexible mounting options, a 100 mm Molex connector, 2-way movement limiter, and gold-plated contacts for reliability. | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 磁性传感器 - 线性,罗盘(IC) | Versatile HS6A24SA Joystick with flexible mounting options, 4-way movement limiter, and silver-plated contacts for reliable performance and durability. | 数据手册1 | 查看详情 |
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