搜索结果:HL3401A-4.2A

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对比产品型号品牌分类产品描述技术资料替代操作
晶体管 - FET,MOSFET - 单

特性:VDS = -30V。 ID = -4.2A。 RDS(on)@VGS = -10V < 65mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 75mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 90mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。应用:电池保护。 负载开关

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