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N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V

【联系：sales@hxymos.com】该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换及开关应用场合。器件结构支持高电流承载能力，在高频开关条件下仍能保持稳定工作特性，适合用于各类高效能电子设备中的功率管理与控制模块。