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G230系列单极开关型霍尔位置传感器电路是采用 CMOS 工艺技术设计加工的，它是由电压稳压单元、具有动态偏差补偿系统的霍尔传感器、小信号放大器、施密特触发器和漏极开路输出驱动单元组成的磁敏传感器集成电路。输入控制信号为磁感应强度，输出是一个开关型的数字电压信号，适合于配合矩形或者圆柱形磁体下工作。在没有磁场控制时，该系列传感器电路的输出管将关断，输出为高电平；当磁场强度 B 大于工作点(BOP)

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23

P20V,RD(MAX)<50M@-4.5V,RD(MAX)<7

P20V,RD(MAX)<50M@-4.5V,RD(MAX)<7

P沟道

商品目录 场效应管(MOSFET)；类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 30V；连续漏极电流(Id) 3.16A；功率(Pd) 750mW；导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 47mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA

G2301C 是一款为控制 P&N 沟道 MOSFETs 而设计的三路 Gate 驱动 IC。芯片内部有 3 个半桥，共驱动 3 个 P 沟道功率 MOSFETs 和 3 个 N 沟道功率 MOSFETs，每一路输出 均由单一逻辑输入信号控制， 由MCU或控制器来控制马达工作于任意模式。芯片内部 集成了5V的 LDO，电流能力达到 100mA。 内置死区时间和直通保护逻辑，防止上、下 桥臂的功率管同时导通。内置输入欠压保护。 G2301B 封装类型为 ESOP16。

商品目录 场效应管(MOSFET)；类型 1个P沟道；漏源电压(Vdss) 20V；连续漏极电流(Id) 2.3A；功率(Pd) 1.2W；导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ@4.5V,3A；阈值电压(Vgs(th)@Id) 600mV@250uA；栅极电荷(Qg@Vgs) 800pC@4.5V；输入电容(Ciss@Vds) 330pF@10V；反向传输电容(Crss@Vds) 45pF@10V；工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

商品目录 场效应管(MOSFET)；类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 20V；连续漏极电流(Id) 2.3A；功率(Pd) 1W；导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 48mΩ@4.5V,2A；阈值电压(Vgs(th)@Id) 600mV@250uA；栅极电荷(Qg@Vgs) 5.4nC@4.5V；输入电容(Ciss@Vds) 160pF@10V；反向传输电容(Crss@Vds) 25pF@10V；工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

MOSFET

MOSFET

IMPELLER GRILLE 230MM

G2302B1 是一款为控制 N&N 沟道 MOSFETs而设计的三路 Gate 驱动 IC。芯片内部有 3个半桥，共驱动 3 个上臂 N 沟道功率MOSFETs和3个下臂 N沟道功率MOSFETs，每一路输出均由单一逻辑输入信号控制， 由MCU 或控制器来控制马达工作于任意模式。芯片内部集成了 3.3/5V 的 LDO，电流能力达 到 100mA。 内置死区时间和直通保护逻辑，防止上、下桥臂的功率管同时导通。 G2302B1 封装类型为 TSSOP20