搜索结果：FDS6675A
共 4 条- 匹配型号4
- 有数据手册3
- 涉及品牌3
产品搜索结果共 4 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 单 FET，MOSFET | MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V； | 数据手册1 | 查看详情 |
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