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SILICON CARBIDE RECTIFIER TO220A

Silicon Carbide Schottky Diode

SILICON CARBIDE RECTIFIER ITO-22

Silicon Carbide Schottky Diode

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.36V。其基于碳化硅材料的特性，展现出优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，可有效降低开关损耗。器件适用于高效率电源转换场合，如大功率开关电源、光伏逆变系统、高密度DC-DC转换器及高性能电源适配器等，能够提升系统整体能效并简化散热设计。

SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中等功率的高效率电源系统。其正向压降（VF）低至1.36V，显著降低导通损耗，提升能量转换效率。基于碳化硅材料特性，器件具备快速反向恢复速度和优异的热导性能，支持高频开关操作。该二极管可在较高结温下稳定工作，适用于紧凑型电源设计。典型应用包括高效AC-DC电源适配器、DC-DC变换器、服务器电源模块及高密度功率因数校正电路等场景。

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.32V，可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。得益于碳化硅材料的物理特性，器件具有快速开关响应、低导通损耗和良好的高温稳定性，适用于高效率电源转换及对热性能要求较高的电力电子系统。