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DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC

DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO252

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO252

DIODE SIL CARB 650V 6A ITO220AC

DIODE SIL CARB 650V 6A ITO220AC

Silicon Carbide Schottky Diode

该碳化硅二极管为独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中等功率电源系统。其正向压降为1.36V，在同类器件中表现优异，有助于降低导通损耗，提升能效。基于碳化硅材料特性，该器件具备出色的反向恢复性能，支持高频开关运行，减少开关损耗与电磁干扰。可广泛用于高效AC-DC与DC-DC转换器、高密度电源模块、光伏逆变装置及不间断电源系统，满足对热稳定性与长期可靠性要求较高的设计需求。

该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，反向漏电流（IR）低至50μA，展现出优异的阻断特性与导通效率。其非重复浪涌正向电流（IFSM）能力为48A，适用于高频、高效率的电源转换系统，如开关电源、光伏逆变器及小型化电力模块等场景，在提升系统整体能效的同时，有效降低热管理负担。