搜索结果：BSS138PW,115
共 6 条- 匹配型号6
- 有数据手册5
- 涉及品牌5
产品搜索结果共 6 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 单 FET，MOSFET | MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 单 FET，MOSFET | 【联系：sales@hxymos.com】该N沟道场效应管额定漏极电流为0.1安培，漏源击穿电压60伏，导通电阻1300毫欧，栅源电压耐受值20伏。器件适用于低压信号切换及小功率负载驱动场景，常见于便携式仪器电源管理、电池保护回路及小型控制模块。其参数特性支持在紧凑电路设计中实现高效的开关控制，满足对空间布局与基础电气性能有明确要求的电子设备应用需求。 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | N沟道；电压：60V；电流：0.3A；导通电阻：2000(mΩ) | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 数据手册4 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：360mA 导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@4.5V,0.2A 耗散功率(Pd)：260mW 阈值电压(Vgs(th))：4.5V@250uA | 数据手册1 | 查看详情 |
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