搜索结果:BSH105
共 11 条- 匹配型号11
- 有数据手册4
- 涉及品牌8
产品搜索结果共 11 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 单 FET,MOSFET | N-channel enhancement mode MOS transistor | 数据手册18 | 查看详情 | ||||
| 单 FET,MOSFET | 查看详情 | ||||||
| 单 FET,MOSFET | 查看详情 | ||||||
| 单 FET,MOSFET | 查看详情 | ||||||
| 单 FET,MOSFET | MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | SOT23;N—Channel沟道,20V;6A;RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=0.45~1V; | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | BSH105 | 查看详情 | |||||
| 单 FET,MOSFET | N-Channel MOSFET | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)):50mΩ@1.8V 耗散功率(Pd):1.25W 阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA | 数据手册1 | 查看详情 |
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