N 沟道增强型 MOSFET，SOT-23 封装，VDS=60V，ID=0.35A，RDS (on)=2.2Ω@10V/2.8Ω@4.5V，Qg=1.7nC，低栅极电荷，适用于负载开关，TJ=-55~+150℃，带ESD
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