搜索结果:AP2301GN
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产品搜索结果共 5 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 数据手册2 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;是一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23;P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V;Vth=-0.5~-1.5V; | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。 | 数据手册7 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;是一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23;P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V;Vth=-0.5~-1.5V; | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 便携式设备,使用高电池密度,先进的沟槽技术,适合于低压应用以及低在线功率损耗 | 数据手册7 | 查看详情 |
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