ZXMP6A18KQTC

ZXMP6A18KQTC

在产单 FET,MOSFETTO-252

MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R

查看替代型号问 AI FAE
沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流6.8 A
导通电阻55 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

已收录 1 个替代型号,登录后查看。

技术参数

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流6.8 A
导通电阻55 mΩ最大 · 3.5A
阈值电压1 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.15W (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageTO-252 (DPAK)
其他
Base Product NumberZXMP6A18
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1580 pF @ 30 V
MfrDiodes Incorporated
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 3.5A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

器件图片

技术资料

该型号暂未收录资料。