XP162A12A6PR-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中。SOT89-3；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流6 A
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流6 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |