JSMSEMI(杰盛微)中国

XP152A12C0MR

晶体管 - FET，MOSFET - 单

应用于便携式设备负载开关、DC/DC转换器。

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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流400 mA
导通电阻500 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流400 mA
导通电阻500 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)400mA
其他
导通电阻(RDS(on))500mΩ@2.5V
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 35.2 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 867.4 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 622.4 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 413.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 371.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 225.2 KB · 2026-09-21
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