HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

该单向可控硅模块具有4A的通态平均电流（It），可承受持续导通状态下的额定电流负载。其断态重复峰值电压（Vdrm）为600V，确保在高电压环境下具备可靠的阻断能力。器件内部集成一个单向可控硅芯片，仅允许电流在一个方向导通，适用于整流与直流功率控制电路。典型应用包括电源开关、电热控制、照明调节及小型电机驱动等场景，常用于需要精确控制电流导通时序的设备中，适合中等功率交流或脉动直流电路中的稳定开关操作。