WSTBSS84
晶体管 - FET，MOSFET - 单类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-60V@@连续漏极电流(Id)：-0.22A@@功率(Pd)：1W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@-10V,-0.1A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：-2.5V@250uA
全部替代型号
查看完整报告技术参数
该型号暂未提供技术参数。
技术资料
该型号暂未收录资料。
类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-60V@@连续漏极电流(Id)：-0.22A@@功率(Pd)：1W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@-10V,-0.1A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：-2.5V@250uA
该型号暂未提供技术参数。
该型号暂未收录资料。