WST6401
晶体管 - FET，MOSFET - 单Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -20 VGS(V) 12 ID(A)Max. -2.5 VGS(th)(v) -0.7 RDS(ON)(m?)@4.41V 135 Qg(nC)@4.5V 3 QgS(nC) 0.5 Qgd(nC) 0.8 Ciss(pF) 290 Coss(pF) 60 Crss(pF) 34
耐压20 V
连续漏极电流2.5 A
导通电阻165 mΩ
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耐压20 V
连续漏极电流2.5 A
导通电阻165 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |