WSK55N20
晶体管 - FET，MOSFET - 单类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：200V@@连续漏极电流(Id)：55A@@功率(Pd)：158W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：48mΩ@10V,15A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA
沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流55 A
导通电阻48 mΩ
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沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流55 A
导通电阻48 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 55A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
技术资料
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