WSF50N06
晶体管 - FET，MOSFET - 单类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：60V@@连续漏极电流(Id)：50A@@功率(Pd)：45W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@10V,20A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.8V@250uA
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类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：60V@@连续漏极电流(Id)：50A@@功率(Pd)：45W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@10V,20A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.8V@250uA
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