W634GU6NB11I

存储器VFBGA 96 Ball

IC DRAM 4GBIT DDR3L 1.35V 933MHZ VFBGA-96

W634GU6NB11I 是一款 4Gb DDR3L SDRAM,容量 32M×16bit,8 个 Bank,支持 DDR3L-1866 速率,工作电压 1.35V,工业级温度范围 -40°C 至 95°C,采用 VFBGA96 封装。规格书核对

类型DRAM
容量4 Gbit
供电电压1.283 ~ 1.45 V
时钟频率933 MHz

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技术参数

类型DRAM
容量4 Gbit
供电电压1.283 ~ 1.45 V
时钟频率933 MHz最大

规格书核对参数

23 项
参数值和测试条件出处
类型DDR3L SDRAM
容量4G bits (32M × 8 BANKS × 16 BIT)
接口DDR3L
供电电压VDD, VDDQ: Min 1.283V, Typ 1.35V, Max 1.45V
时钟频率Max 933 MHz (DDR3L-1866)
封装VFBGA 96 Ball (9 x 13 mm², ball pitch: 0.8mm)
工作温度-40°C ≤ TCASE ≤ 95°C
等级Industrial (11I)
RoHSRoHS compliant
速度等级DDR3L-1866 (13-13-13)
CAS 延迟5, 6, (7), 8, (9), 10, (11), 13 nCK
突发长度BL8 and BC4
Bank 数量8
预取架构8 bit prefetch
刷新间隔7.8 μS (-40°C ≤ TCASE ≤ 85°C), 3.9 μS (85°C < TCASE ≤ 95°C)
自刷新电流Max 28 mA (IDD6)
工作电流 (IDD0)Max 175 mA (DDR3L-1866)
工作电流 (IDD1)Max 205 mA (DDR3L-1866)
绝对最大额定电压VDD, VDDQ: -0.4V ~ 1.975V
存储温度-55°C ~ 150°C
外部校准电阻RZQ: Min 237.6Ω, Typ 240.0Ω, Max 242.4Ω
片上终止阻抗RTT: 20Ω, 30Ω, 40Ω, 60Ω, 120Ω (Programmable)
输出驱动阻抗RON: 34Ω (RZQ/7), 40Ω (RZQ/6)
全部参数(7 项)展开收起
环境与封装
PackageVFBGA96
其他
Density32M × 8 BANKS × 16 BIT
Speed BinsDDR3L-1333, DDR3L-1600, DDR3L-1866, DDR3L-2133
TOPER-40 ~ 85 °C
TSTG-55 ~ 150 °C
VDD1.35 V (Typ)
VDDQ1.35 V (Typ)

技术资料

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。