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技术参数

电源
ID-最大漏极电流0.8A
Id-额定电流0.8A
VDSS-最大漏源电压20V
Vgs(th)-门槛电压0.6V
环境与封装
封装类型1DFN1006
其他
Qg-栅极电荷NnC
Vdss-漏源耐压20V
Vgs-栅源耐压8V
内置ESD保护二极管1
内置整流二极管0
引脚数量13
集成ESD保护二极管1
集成整流二极管0

技术资料

该型号暂未收录资料。