VBE2338
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，是一种多功能、高性能的电子器件，适用于许多不同的应用领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-38A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流38 A
导通电阻46 mΩ
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技术参数
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流38 A
导通电阻46 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 38A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |